带保护门的暗装开关插座、崛起转换器应能防止单极或探针插入。
吕妙强，集成昆士兰大学化工学院博士后研究员。网关（d）Cs2AgBiBr6膜在FTO上的间接能带带隙。
（b）在FTO衬底上，汇聚Cs2AgBiBr6的扫描电子显微相貌图像。图四、崛起STEM-HAADF图像及EDS表征在相对湿度为68%±7%的环境条件下，崛起在P3HT厚度为65nm和黑暗环境中放置68天后，新制备的和老化的器件的横截面STEM-HAADF图像及EDS。（h）相对于其他空穴/电子传输层，集成Cs2AgBiBr6的能带相对位置。
【通讯作者介绍】王连洲（LianzhouWang）教授，网关昆士兰大学化工学院教授和澳大利亚桂冠教授，网关澳大利亚纳米材料研究中心（Nanomac）主任，澳大利亚生物工程与纳米技术研究所（AIBN）兼职课题组长。在卤化铅钙钛矿中，汇聚卤素阴离子是主要迁移物质，而金属阳离子往往是固定的。
卤化铅钙钛矿中的离子迁移现象已经有不少工作报道，崛起研究发现离子迁移是许多异常现象的成因，包括电流-电压磁滞，铁电和较差的材料稳定性。
【图文导读】图一、集成Cs2AgBiBr6薄膜的物理表征（a）在FTO衬底上，溶液法旋涂沉积的Cs2AgBiBr6薄膜的XRD图谱。北欧神话虽然不如希腊神话和圣经那样著名，网关但是其对世界的影响仍然极为广泛，几乎渗透于生活的方方面面。
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